Formålet med innkjøpet er en oppgradering og rekondisjonering av vår gamle modell «Varian Gen II, moleylærstråleepitaksianlegg» fra et system som har vært brukt til primært å lage galliumarsenid- og galliumantimonidhalvledere, til et system som kan produsere nanotråder og filmer av galliumnitrid og relaterte materialer med høy optisk kvalitet. MBE-anlegget vil bli brukt til forskning.